湖南大学材料院怎么样 据说挺差的.哭死
发布时间：2024-05-22 10:47:11 | 爱好网
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福州大学《JMST》：原位透射电镜实现合金界面断裂的原子级观察
硬质合金的硬度与WC晶粒的大小成反比，晶粒生长抑制剂被广泛用于制备晶粒更小的硬质合金。据报道，晶粒生长抑制剂的溶质原子在WC-Co界面处偏聚，导致形成薄膜状的二维界面相。VC和Cr3C2是工业中最有效的晶粒生长抑制剂，两种掺杂可诱导界面重组。
近日，福州大学研究员对V掺杂的WC-Co 硬质合金的FIB薄片进行了原位弯曲，并通过TEM观察了裂纹扩展 。采用AC-STEM对WC-Co界面在断裂前后的原子构型进行了表征和比较，提出了原子尺度的键位断裂路径，并通过DFT计算验证了实验观察到的断裂行为，相关论文以题为“Atomistic observation of in situ fractured surfaces at a V-doped WC-Co interface”发表在Journalof Materials Science & Technology。
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图1 透射电镜图像显示了在FIB薄片上进行的原位TEM弯曲实验。(a)加载前的状态，(b)连续加载3min后未见裂纹，(c)裂缝发起的切口，(d,e)裂纹传播沿WC-Co界面。(f)的裂纹偏转相邻WC颗粒。 爱好网
图2AC-STEM描述有关WC-Co断裂之前的相界面。(a, b) Co粘结相和WC晶粒的菊池线，(c)相界面高分辨率HAADF图像，(d-g)相界面处的EDS图，(h)EDS强度线剖面和(i)成分剖面分析
图3 断裂WC-Co界面的AC-STEM表征(a)WC侧解理面HAADF图像，(b-e)相界面处EDS图，(f)EDS强度线剖面和(g)成分剖面分析。
图4 ( a ) V掺杂WC-Co界面的DFT优化界面结构。( b ) Wsep每层原子界面断裂做功
本研究提供了从V掺杂WC-Co单键界面对断裂表面的原子分辨率观察，并在第一性原理计算的帮助下为失效机制提供了新的理解。偏析诱导的三层原子层，与WC颗粒共格，表现出很高的韧性。另一方面，三层超晶格结构和随机取向的钴相之间非共格降低了层间结合强度，这得到了理论计算的验证。构建共格的WC-Co界面可能是改善硬质合金机械性能的有效方法。
虽然本研究揭示了WC-Co界面在机械载荷下为优先断裂界面，但并不一定表明WC/Co界面是WC-Co复合材料中最弱的键组件之一。目前的研究旨在比较V掺杂WC-Co界面上不同界面层的强度，该界面普遍存在于商业制造的硬质合金中。未来还需要进行系统研究，比较不同键合的界面结合强度。
总而言之，通过像差校正HAADF成像和EDS图谱研究了断裂的原子结构和化学性质。通过对WC/Co界面断裂前后的比较，发现含V的类fcc三层结构与相邻Co相发生断裂。DFT计算表明，键合特性和界面非共格降低了层间键合强度（文：晓太阳）
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湖南大学材料院怎么样 据说挺差的.哭死
回想在湖大材料院的本硕7年，真的很感慨，学校本身换了3个校长，从985到双一流B类，而材料院依旧是二级学科。再看看隔壁的中南，双一流A类，材料院是一级学科。硬件方面，湖大材料院的电镜至少有7年没更新过了，我的研究生实验，有很大一部分的表征都是在中南做的（TEM，AFM，SEM），TEM和SEM在湖大材料院也有，但是隔个三五天就莫名其妙的要维护，而且预约也要等至少两周。更夸张的是，某些大老板专心搞工程，自己的实验室已经几年没更新过了，试问学生怎么搞学术呢？师资方面，几位老教授都是搞项目的大老板，他们早已评上正教授因此没有科研压力，说白了就是重心都在搞工业生产方面不在学术上，学生如果只是想要混文凭还是不错的选择，年轻一些的老师也搞学术的，但是从成果上看，发IF>6的Carbon已经是新闻了（不信可以关注微信公众号里的湖大材料院）。所以建议想要搞学术的同学还是去中南或者湖大化工院，那里还是有大牛可以带你们发IF>10的文章的。里面还有几个极品老板各种忽悠学生去做项目，好一点的就给2000，差的就500一个月，更极品的老板会为了逼你写第二篇文章，就算你第一篇写好了，也拖着不给改，这种累斗累的方式，我算是见识过了。以上说的都是我亲眼看到或者经历过的，里面必然会触碰到某些人的神经带来不必要的麻烦，所以如果留言有很多谩骂也很正常，只希望能帮到那些准备读研的同学。很多经历过的朋友都选择沉默怕带来不必要的麻烦，而且那毕竟是母校，不想伤害其尊严。但是在这里我不得不发表出来，为了更多的同学不要再掉坑里，也希望某些人看到以后能唤醒其良知，别再这么坑学生了，湖大成B类难道就都是别人的原因吗？ 以上，就是爱好网小编给大家带来的湖南大学材料院怎么样 据说挺差的.哭死全部内容，希望对大家有所帮助！免责声明：文章内容来自网络，如有侵权请及时联系删除。
